차세대 반도체 메모리 소자인 ‘F램 PZT 박막소자’의 성능을 획기적으로 개선한 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 개발됐다.

포항공대는 장현명(張鉉明·신소재공학과) 교수팀이 F램을 이루는 주된 물질인 PZT 박막소자의 성능을 강화시켜 650억회의 반복적인 ‘쓰고 읽기’동작에도 정보가 손실되지 않는 비휘발성 메모리 F램소자를 개발하는데 성공했다고 13일 밝혔다.

PZT 소자는 한번 저장된 정보가 지워지지 않는 비휘발성·빠른 정보처리 속도(1,000만분의 1초)·무제한 정보기록횟수 등이 장점으로,기존 D램 소자나 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리 소자다.그동안 삼성전자·일본 도시바·히다치 등 세계적인 반도체 업체들이 개발경쟁을 벌여왔다.

그러나 수백만번 이상의 ‘쓰고 읽기’동작 이후에는 저장된 정보가 급속히 손실되는 이른바 ‘전기적 피로현상’문제로 개발에 어려움이 있었다.

장 교수팀이 개발한 극미세 PZT소자는 백금전극과 PZT박막 사이에 약 40나노미터(1나노미터=100만분의 1㎜)두께의‘씨앗층’을 도입, 서로 다른 물질사이에서 오는 충격을완화해 전기적 피로현상을 줄였다.

김미경기자 chaplin7@