삼성전자가 세계 최초로 1㎓ D램 양산시대를 열었다.

삼성전자는 회로선폭 0.15㎛(미크론)의 초미세 공정을 적용한 3세대 256Mb(메가비트) 램버스 D램의 양산에 들어간다고 7일 밝혔다.0.15㎛은 머리카락의 666분의 1 굵기다.

이 제품은 메모리반도체 가운데 처음으로 내부 신호처리속도 1㎓(1,000㎒)를 넘어섰다.기존 제품의 속도는 800㎒였다.또 단위 웨이퍼당 칩 생산량이 2세대인 0.17㎛ 공정보다 30% 이상 늘었다.삼성전자는 올 연말에는 0.13㎛ 공정을적용한 4세대 램버스 D램 제품을 양산할 예정이다.램버스 D램은 고성능 PC,워크스테이션,게임기에 주로 사용되는 고급 메모리반도체다.

김태균기자