하이닉스반도체는 세계 최고속·최소형 1기가비트(Gb·10억비트)모바일 D램 개발에 성공, 내년 1·4분기부터 양산에 들어간다고 12일 밝혔다. 하이닉스는 “66나노(1나노=10억분의1m) 기술로는 세계 최초로 개발돼 상용화되는 제품”이라고 설명했다. 또 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 데이터 처리 속도와 방식을 칩에서 바꿀 수 있는 하이닉스의 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있다. 모바일 D램은 디지털 카메라,MP3플레이어,DMB,PMP 등의 기능이 장착되는 휴대전화 등에 들어간다. 모바일 D램을 사용하면 기존제품보다 20% 이상 얇은 단말기를 만들 수 있다. 전력사용량은 줄이면서도 데이터 처리 속도와 메모리 용량은 크게 개선된다.