국내 연구진이 차세대 나노소자 소재로 기대를 모으고 있는 실리콘 나노선의 금속 불순물 오염을 해결할 수 있는 기술을 개발했다.

성균관대 신소재공학부 황동목 교수와 고려대 전기전자전파공학부 황성우 교수팀은 12일 금속성 촉매를 사용하지 않고 원하는 형태와 전기적 특성을 가진 반도체 나노선을 만드는 방법을 개발했다고 밝혔다. 연구결과는 나노분야 권위지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 최신호에 게재됐다.

실리콘과 게르마늄 등을 이용한 반도체 나노선은 지름이 2㎚(나노미터=10억분의1ｍ)에서 수십㎚, 길이가 수백㎚에서 수백 ㎛(마이크로미터=100만분의 1ｍ)에 이르는 물질로 21세기에 가장 주목받는 나노소재로 꼽히고 있다. 그러나 반도체 나노선을 실제 산업에 응용하기 위해서는 굵기와 길이 등 원하는 형태와 특성을 가진 초고순도 단결정 나노선을 만들고 이런 나노선을 원하는 형태로 배열하는 기술이 필요하다.

박건형기자 kitsch@seoul.co.kr