하이닉스반도체가 낮은 전압에서도 세계 최고속도를 자랑하는 1기가비트(Gb) 모바일 LP DDR2(Low Power DDR2)를 개발했다.

지난해 세계 최고속·최소형 1Gb 모바일 DDR 제품을 개발한 지 8개월만이다. 올 4·4분기(10∼12월) 중에 양산에 들어간다.1.2V의 낮은 전압에서 초고속 데이터 전송속도(초당 800Mb)를 구현해 모바일 기기에 매우 적합하다고 회사측은 강조했다.66나노 미세공정을 적용해 크기도 초소형(9×12㎜)이다.