삼성전자가 세계 최초로 90나노(1나노는 10억분의1m) 공정을 적용한 D램 양산에 돌입,본격적인 ‘나노 D램 시대’를 열었다.

삼성전자는 9일 최첨단 300㎜ 라인에서 90나노 공정을 이용한 512Mb(메가비트) D램의 양산을 시작했다고 밝혔다.이에 따라 삼성전자는 지난해 업계 첫 90나노 2기가 난드 플래시 메모리의 양산에 나선 데 이어 D램 제품에서도 차세대 나노급 시장의 주도권을 확보하게 됐다.

90나노 공정은 기존 공정보다 생산성이 40%나 높아 제품 원가경쟁력을 획기적으로 향상시킬 수 있다.

90나노 공정으로 양산하는 D램 제품은 512Mb DDR 400㎒와 DDR 333㎒로 90나노 D램으로는 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다.삼성전자는 연내까지 90나노 DDR2 제품도 양산을 시작하는 등 D램 전 제품으로 90나노 공정을 확대할 전략이다.

김경두기자 golders@seoul.co.kr