삼성전자는 60나노 공정을 적용한 ‘2기가비트(bit) 원낸드’를 개발했다고 27일 밝혔다.

원낸드(OneNAND)는 읽기 속도가 빠른 ‘노어플래시’의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 ‘낸드플래시’의 장점을 융합한 차세대 퓨전 반도체이다. 이번에 개발된 2기가비트 제품은 기존 원낸드보다 쓰기 속도가 초당 9.3메가바이트에서 17메가바이트로 2배가량 향상됐다. 또 여러 개의 칩을 차례로 쌓아 고용량 제품으로 만들 수 있다.2기가비트 원낸드 8개를 쌓아 층을 만들 경우 초당 최대 136메가바이트까지 쓰기 속도를 높일 수 있다. 원낸드는 PC, 디지털 카메라, 메모리 카드, 디지털 TV 등 다양한 응용분야로 시장을 확대하고 있다.

김경두기자 golders@seoul.co.kr