삼성전자는 세계 최초로 80나노 공정을 512메가비트(Mb) DDR2 D램에 적용해 양산에 돌입한다고 13일 밝혔다.80나노(1나노는 10억분의 1m) D램 공정은 2003년 9월 삼성전자가 세계 최초로 개발한 것으로,D램의 집적도나 데이터 보유특성을 개선할 수 있는 3차원 트랜지스터기술(RCAT)이 적용됐다.