LG반도체는 21일 세계 최초로 X선을 이용한 4기가 D램급의 초미세 노광기술을 개발했다고 발표했다.

이 회사에 따르면 포항공대와 올해초부터 방사광 가속기를 이용,4기가 D램의 기억소자 공정을 가능케 하는 0.13㎛(1㎛는 1백만분의 1m)의 초미세 노광기술 개발에 착수,결실을 보았다는 것.

LG반도체는 『16메가 D램과 64메가 D램의 회로선폭은 0.5∼0.35㎛이며 통상적으로 한 세대제품이 바뀔때마다 4배의 기억용량 확대와 70%의 선폭 축소율을 보이고 이 과정이 3∼4년 소요되는 점을 감안하면 이번 기술개발은 3개 세대를 뛰어넘는 연구성과로 분석된다』고 밝혔다.

노광기술은 반도체 회로를 웨이퍼 위에 그리는 핵심기술로 연구성과의 수준은 웨이퍼 위에 형성시킨 회로선폭의 미세 정도에 따라 결정된다.X선 노광기술은 IBM NTT 미쓰비시 등 10여개 업체가 연구중인데 해외업체들도 실질적인 결실을 보지 못한 최첨단 기술이다.

그동안 많은 투자비가 소요되는 관련장비와 기초기술의 부족으로 국내에서는 개발이 전무했으나 포항공대의 방사광 가속기 설치를 계기로 지난 5월 LG반도체에서 「X선 노광기술 연구센터」를 설치하면서 본격화됐다.LG는 이 기술의 상업화 등을 위해 2003년까지 5백억원의 연구개발비를 투입할 계획이다.〈권혁찬 기자〉