◎정보처리속도 256MD램의 2배

2백56메가 싱크로너스(동기식) D램이 세계에서 최초로 현대전자에 의해 개발됐다.

현대전자는 11일 칩 하나에 영자신문 2천장 분량의 정보를 저장할 수 있고 기존의 비동기방식 2백56메가 D램보다 정보처리속도가 2배이상 빠른 2백56메가 싱크로너스 D램의 엔지니어링 샘플을 개발했다고 발표했다.

엔지니어링 샘플은 2억5천6백만개의 셀이 설계 회로대로 완전히 작동하는 제품이다.

이로써 지난해 삼성전자의 2백56메가 D램 개발에 이어 이번 현대전자의 2백56메가 싱크로너스 D램의 세계 최초 개발로 D램 분야에서는 세계 최고의 기술력을 확보하게 됐다.현대측은 2백56메가 싱크로너스 D램이 오는 98년 이후 상용화될 것으로 예상했다.

싱크로너스 D램은 정보의 전달에 따른 병목현상이 없고 대용량의 정보를 한번에 처리할 수 있도록 설계된 반도체 칩으로 앞으로 세계 메모리 시장의 주력제품으로 채택될 것으로 전망된다.또 싱크로너스 D램은 기존의 표준 D램에 비해 개당 가격이 30∼50% 비싸 경제성도 높다.



이 제품은 칩크기가 3백23㎟이며 정보처리속도는 6나노초(1나노초는 10억분의 1초)로 0.25미크론(1미크론은 1백만분의 1m)의 최소선폭 가공기술을 사용했고 64메가 D램급보다 단순화한 제조공정으로 조기 양산화가 기대된다.<김균미 기자>