◎반도체 1기가 D램 집적가능/「디지털 메모리셀」 미·일에 특허 출원

집적회로(IC)의 집적도를 1기가D램(10억개의 신호처리능력·신문8천1백92면)이상까지 높일 수 있는 획기적인 차세대용 기억소자 기본 개념과 이를 이용한 기억소자 시제품이 국내 처음으로 개발됐다.서울대 공대 전자공학과 김원찬교수는 3일 피동적으로 반응하는 기존의 기억소자와는 전혀 다른 신호의 작은 변화량,즉 미세신호까지 감지할 수 있는 차세대 「디지틀 메모리 셀」이라는 능동적 기억소자를 개발했다고 밝혔다.

이 기억소자의 개념은 전자의 저장장소인 케패시터 1개를 1개의 스위치,즉 트랜지스터를 통해 외부에 신호를 보내도록 하던 기존 방법과는 달리 여기에 트랜지스터 1개를 더 연결,이를 증폭기로 사용해 더많은 신호를 외부와 연결케한다는 것이다.

김교수는 이 개념을 적용해 현대전자 반도체연구소에서 기억소자 시제품을 만들어 성능시험을 한 결과 지금까지 1개의 셀이 0과 1의 정보(1비트)만 처리할 수 있는데 비해 이 기억소자는 0,1,2,3……등 여러개의 정보(멀티비트)를 처리하는 것은 물론 집적도도 30%이상 높일수 있는 것으로 나타났다고 말했다.

김교수는 특히 이 소자는 0과 1의 정보외에 2분의1,3분의1 등의 정보처리도 가능해 애매모호한 개념을 처리하는 퍼지칩의 개발도 시간문제라고 말했다.

김교수는 이같은 연구결과를 미국 전기및 전자공학회(IEEE)에 논문으로 제출하고 미국·일본·독일등 주요 반도체 생산국에 특허를 출원했다.