고온 초전도체 전착기술/금성,국내 첫 개발/미 등에 특허 출원

고온 초전도체 전착기술/금성,국내 첫 개발/미 등에 특허 출원

입력 1991-06-12 00:00
수정 1991-06-12 00:00
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금성사는 11일 국내에서는 처음으로 자기부상열차·단층촬영장치·에너지저장장치의 실용화에 필수적인 고온초전도체 전착기술을 개발했다고 밝혔다.

고온초전도체란 일정 온도 이상으로 가열하면 전기저항이 0이 되는 물질로 손쉽게 큰 전력을 흘려보내 초강력 자석이나 전력손실이 없는 송전선을 만들 수 있어 에너지·교통·의학·자원탐사·기초과학 등에 광범위하게 활용할 수 있다.

금성사는 고온초전도체 전착기술 개발을 위해 지난 3년간 5억원의 연구개발비가 투입됐으며 현재 미 일 등 각국에 특허 출원중이라고 밝혔다.

1991-06-12 6면
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