국내 연구진이 중성빔을 이용해 반도체 웨이퍼(원형의 얇은 기판) 표면을 원자 단위로 미세하게 깎아낼 수 있는 새로운 ‘식각(蝕刻:Etching)기술’을 세계 최초로 개발했다.

성균관대 염근영 교수팀은 24일 중성빔을 이용한 원자층 식각 기술을 개발, 차세대 나노 반도체 식각 공정의 원천기술을 확보했다고 밝혔다.‘식각’이란 화학용액 또는 가스를 이용해 웨이퍼 위의 필요한 부분만 남겨 놓고 나머지 물질을 없애는 반도체 제작 공정이다.

연구팀은 이번에 개발한 공정은 전기적 성질이 없는 중성빔을 사용하기 때문에 식각 공정 중에 전기·물리적 손상이 없고, 반도체 표면의 거친 정도도 원자층 단위 이내로 조절이 가능하다고 설명했다.

염 교수는 이번 연구 성과가 오는 2010년쯤 본격 상용화될 경우, 연간 4000억원 이상의 수입대체 효과와 수출 등 경제적 파급효과가 기대된다고 덧붙였다. 이번 연구 결과는 관련 분야의 SCI급 전문지 3곳에 소개됐으며, 연구팀은 국내와 미국에 2건의 특허를 등록했다.

이영표기자 tomcat@seoul.co.kr