SK하이닉스가 업계 최초로 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ 개발에 성공했다고 3일 밝혔다. 8기가비트(Gb) 용량 제품으로 정보입출구의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 기존보다 4배 높인 것이 특징이다. 기존 LPDDR4 모바일 D램은 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB의 데이터 처리가 가능하다.반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다.