삼성전자가 차세대 반도체 시장인 ‘퓨전 반도체’시장에서의 우위를 강화하고 있다. 삼성전자는 10일 40나노(㎚)급(1㎚는 10억분의1m) 공정을 적용한 ‘8기가비트(Gb) 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND)’를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. 삼성전자는 이 제품을 본격 양산할 계획이다. 이번에 개발한 제품은 빠른 데이터 처리속도가 장점인 SLC(Single Level Cell) 낸드와 저장용량이 큰 MLC(Multi Level Cell) 낸드의 특성을 하나로 합친 반도체다. 연산과 저장이라는 두개의 반도체를 하나로 해결할 수 있어 제품 크기와 원가를 줄이면서도 처리속도는 기존 제품에 비해 4~5배 빠르다. 또 SLC와 MLC의 비율을 사용자가 마음대로 정할 수 있다. 종전 60㎚급 4Gb 플렉스 원낸드에 비해 생산성이 약 2.8배 높아졌다. 삼성전자가 퓨전반도체 시장에서 경쟁사와 2∼3년의 격차를 벌리면서 주도권을 계속 가져가게 된 셈이다.

삼성전자는 플렉스 원낸드뿐 아니라 원낸드 제품도 40㎚급 공정으로 1Gb, 2Gb, 4Gb 제품을 양산할 예정이다. 삼성전자 관계자는 “차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정”이라며 “이를 바탕으로 퓨전반도체의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나가겠다.”고 전했다.

김효섭기자 newworld@seoul.co.kr