한·미 공동 연구팀이 반도체 집적도를 최고 1만배까지 높일 수 있는 세계최소형 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제작하는데 성공했다.

서울대 물리학과 임지순(任志淳·48)교수팀과 미국 버클리소재 캘리포니아대 물리학과 마이클 퓨러 교수팀은 과학전문지 ‘사이언스’에 발표한 논문‘십자형 나노튜브연결’에서 10나노미터(1나노미터는 10억분의 1m)크기의탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하는데 성공했다고 21일 밝혔다.

임 교수는 탄소나노튜브를 십자형으로 배열하면 탄소나노튜브가 겹치는 부분이 트랜지스터 기능을 한다는 것을 이론적으로 입증했으며,미국 연구팀은이를 바탕으로 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작했다.

탄소나노튜브는 탄소만으로 이루어진 벌집형 구조의 대롱 모양을 한 신물질.직경이 몇 나노미터 수준이며 98년에 탄소나노튜브를 이용한 트랜지스터 제작이 처음 보고됐으나 전류 흐름을 조절하는 게이트가 탄소나노튜브보다 100배 이상 커서 트랜지스터 전체 크기를 소형화하는데는 실패했었다.

그러나 연구팀은 이번 연구에서 두개의 탄소나노튜브를 십자모양으로 서로배열할 때 생기는 10평방나노미터 정도의 겹치는 부분이 완벽한 트랜지스터성능을 발휘할 수 있다는 것을 실험으로 증명했다.

10평방나노미터는 1㎠의 1조분의 1에 해당하는 넓이로 이 트랜지스터를 산업화하는데 성공하면 현재 상용화된 최첨단 반도체인 256메가D램보다 집적도가 1만배 높은 반도체를 만들 수 있다.



함혜리기자 lo