세계 D램 시장의 ‘절대강자’인 삼성전자가 차세대 D램 시장을 이끌 DDR3(Double Data Rate 3) D램을 세계 최초로 개발, 반도체 신화를 이어가게 됐다.

삼성전자는 초고속 동작을 위한 신기술이 적용돼 핀당 동작속도가 1.066Gbps로 현재 주로 쓰이는 DDR D램에 비해서는 4배, 최근 주력 제품으로 떠오르고 있는 DDR2보다 2배 빠른 DDR3 D램을 개발했다고 17일 밝혔다.1.066Gbps는 초당 영자신문 8000페이지 분량의 정보를 전송할 수 있음을 말한다.DDR3에는 모두 16개의 핀이 들어 있으므로 칩 하나가 1초에 12만 8000페이지 분량의 정보를 전송한다.

이번에 개발된 DDR3는 회로선폭 80나노미터 공정을 이용한 512Mb의 대용량으로 세계반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원하는 최초의 D램이다.

또 메모리 제품 가운데는 처음으로 1.5V의 저전압으로 동작해 동작전압이 1.8V인 DDR2에 비해 전력소모를 20%가량 줄일 수 있다.DDR의 동작전압은 2.5V다.

DDR3는 내년 초부터 양산돼 PC 및 서버의 메인 메모리에 주로 쓰일 것으로 보인다. 시장조사기관 IDC에 따르면 DDR3는 내년까지는 전체 D램 시장의 0.1% 수준에 그치지만 2007년 7.1%,2008년 36.5%로 급성장한 뒤 2009년에는 64.9%로 D램 시장의 주력제품으로 부상할 전망이다. 삼성전자는 97년 11월 DDR,2001년 3월 DDR2를 세계 최초로 개발한 데 이어 DDR3도 업계 최초로 개발함으로써 3세대 연속으로 제품 표준화를 주도, 경쟁업체와의 격차를 더욱 벌리게 됐다.

류길상기자 ukelvin@seoul.co.kr