삼성전자는 지난 15일부터 미국 하와이에서 열리고 있는 ‘2004 VLSI 심포지엄’에서 ▲50나노 이하급 차세대 트랜지스터 제조기술 ▲세계 최초의 64Mb 대용량 P램기술 ▲70나노 노아(NOR) 플래시 및 저전력 D램 기술 등 22가지의 차세대 반도체 기술을 발표했다고 16일 밝혔다.삼성전자는 지난해 12월 국제전자소자회의(IEDM) 최다 논문 발표,지난 2월 세계고체회로회의(ISSCC) 최우수 논문 선정에 이어 이번 VLSI학회에서 최다 논문을 발표함으로써 3대 반도체 학회에서 최고의 기술력을 입증받았다.˝