삼성이 ‘메모리 반도체의 제2도약 시대 진입’을 선언했다.

플래시 메모리를 차세대 주력제품으로 육성,내년 플래시 메모리 시장에서 세계 1위에 오르고,메모리 반도체 매출 100억달러를 달성한다는 목표를 제시했다.

삼성은 9∼10일 서울 신라호텔에서 이건희 회장 주재로 황창규 삼성전자 메모리사업부 사장과 실무 임원들이 참석한 가운데 ‘반도체 특별전략회의’를 열어 이같은 목표를 확정했다.

회의에서는 경기에 민감하고 수익성이 떨어지는 D램 대신 플래시 메모리를 신성장엔진으로 선정,반도체사업의 제2도약을 이룩하기로 했다.

이에 따라 삼성은 현재 세계 1위인 NAND(데이터저장형) 플래시(시장 점유율 65%)는 2위와의 격차를 더욱 벌리고,NOR(코드저장형) 플래시도 시장점유율을 확대,내년 메모리 세계시장 340억달러 중 30% 이상을 차지한다는 계획이다.

이 회장은 10일 경기 화성사업장의 반도체 생산공정을 찾아 “삼성의 반도체가 제2의 성장시대를 맞이할 수 있도록 화성단지를 세계적인 반도체기지로 키워나가자.”고 당부했다. 삼성이 플래시 메모리를 반도체의 제2도약을 이끌 신성장엔진으로 선정한 것은 시장 전망과 여건이 삼성쪽으로 기울고 있다는 자신감에서다.현재 NOR형과 NAND형으로 양분된 플래시 메모리 시장은 급속히 NAND형으로 이동하는 상황이다.

삼성전자는 최근 70나노급 미세공정으로 4기가 NAND형 플래시 메모리를 업계 최초로 개발했다.도시바 등 경쟁업체보다 3세대 이상 빠른 기술개발 속도다.

박홍환기자 stinger@