삼성전자는 14일까지 일본 교토에서 열리는 ‘VLSI 심포지엄’에서 ▲CMOS P램▲90나노 NOR 플래시메모리▲90나노 S램▲65나노급 SoC 요소공정기술 등 차세대 반도체 핵심기술과 관련된 22편의 논문을 발표한다고 10일 밝혔다.