하이닉스반도체는 0.10㎛(미크론·1000분의 1㎜)의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 반도체 양산기술 확보에 성공했다고 12일 밝혔다.이 기술을 적용하게 되면 웨이퍼당 칩 생산량이 기존 0.13㎛급 기술에 비해 40% 이상 늘어나게 된다고 설명했다.특히 기존 장비를 이용,양산할 수 있게 돼 투자비용을 50% 이상 줄였다.하이닉스는 기술 및 원가 경쟁력 확보를 위해 올 연말까지 0.13㎛ 이하의 첨단 공정을 전체의 80%까지 늘리기로 했다.