삼성전자는 모바일용 차세대 메모리 반도체인 4Mb F램(강유전체 메모리)을 세계 처음 개발했다고 16일 밝혔다.

F램은 집적도가 높고 고용량인 D램과 고속·저전력 제품인 S램,전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 플래시메모리 등 기존 메모리의 장점을 지닌 새로운 개념의 메모리다.제조공정이 단순하고 제조원가가 낮은 데다 기존 메모리 제조라인을 사용해 투자부담도 적어 업체간 개발경쟁이 치열하다.

삼성전자는 1998년 4Mb F램의 엔지니어링 샘플을 개발한 데 이어 이번에 32Mb 제품 기술과 이 기술을 적용한 4Mb F램 개발을 마치고,이를 휴대폰에 완벽히 탑재해 모바일 기기용으로 선보였다.

삼성전자의 4Mb F램은 기존 256Kb 제품의 16배 용량이며 3.0V의 저전압 동작,80ns(나노초:10억분의 1초)의 고속동작,비휘발성 등의 특성을 갖추었다.

삼성전자는 네트워크 기기의 배터리 백업용 S램 시장과 내년부터 급격한 성장이 예상되는 모바일용 F램 시장의 선점에 본격적으로 나서는 한편 64Mb 이상의 F램 개발을 본격화할 계획이다.

메가급의 대용량 F램은 휴대폰,PDA,스마트폰,스마트카드,네트워크 제품 등에서 폭넓게 사용될 것으로 보이며 시장규모는 2004년 33억달러,2008년 267억불로 예상된다.

현재 전세계적으로 F램 개발 기술은 삼성전자와 일본의 후지쓰,미국의 텍사스인스트루먼트(TI) 정도만이 보유하고 있다.

박홍환기자 stinger@