2백56메가D램 이상의 초고집적 반도체(IC)제조에 필수적인 장비인 차세대 이온주입기가 국내 기술진에 의해 개발됐다.

한국원자력연구소 최병호 박사팀은 23일 러시아 쿠르차토프연구소·삼성전자연구팀과 1년간의 공동연구끝에 2백56메가D램급 이상의 초고집적 IC제조공정에 필요한 12인치 이상의 대형 웨이퍼처리에 적합하고 차세대 반도체기술을 실현할 수 있는 새로운 이온주입기를 개발했다고 발표했다.

이온주입기는 반도체소자를 만들때 IC의 국부적인 회로부분에 붕소·인이나 비소의 이온을 이온원으로 만들어 전기장으로 가속,웨이퍼상에 쪼임으로써 전도성 혹은 절연성을 띠게 하는,반도체 제조시 필수적인 장치이다.

새로 개발된 이온주입기는 이온원으로서 기존의 붕소·인·비소뿐만 아니라 활성이 강한 산소이온과 질소이온,금속이온을 다량으로 생성할 수 있어 산소이온과 고에너지이온주입등 다양한 기능을 할 수 있다.

또 차세대 반도체기술인 층간절연기술(SOI·중층 구조 반도체 제작기술)을 실현시킬수 있어 2백56메가 D 램과 1기가 D 램등차세대 메모리반도체의 핵심기술로 꼽힌다.

연구팀은 또 이번 개발을 통해 기존 이온주입기의 문제점인 이온빔의 공간적인 불균일성,소자의 절연층 파괴,분진발생률을 최소화해 반도체의 생산성을 극대화시켰다고 밝혔다.<신연숙 기자>