삼성 2026년 10나노 7세대 선봬
업계 최초 ‘3D D램’ 공개 승부수

하이닉스, 美와 반도체 시설 협약
“2028년 하반기 ‘AI 메모리’ 생산”

삼성전자가 연내 업계 최초로 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의1m)급 D램 양산을 시작한다. SK하이닉스는 미국 인디애나주에서의 첨단 패키징(후공정) 공장 신설 계획을 공식화했다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 ‘멤콘(MemCon) 2024’에서 차세대 D램 개발 로드맵을 발표했다. 6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다. 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획이다.

EUV 장비를 활용하면 동일한 칩 면적에도 기억 소자를 더욱 정밀하게 배치할 수 있어 기존보다 데이터 처리 용량을 높이면서 속도는 더 빠른 제품을 만들 수 있다. 삼성전자는 2026년 10나노급 7세대 제품을 양산하고 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램을 생산한다는 계획이다.

3차원 구조의 D램 또한 삼성전자가 업계 최초 공개를 목표로 개발하고 있다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 기존 D램처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 3배 키운 제품이다.

SK하이닉스는 이날 인디애나 북서부 웨스트라피엣 소재 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 반도체 시설 투자협약을 맺었다. SK하이닉스는 웨스트라피엣에 38억 7000만 달러(약 5조 2000억원)를 투자해 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키지 공장을 신설한다.

SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM(고대역폭메모리) 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라면서 “이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스는 인디애나 공장 신설 등을 계기로 현지에서 1000개 이상의 일자리가 창출될 것으로 추산했다. 아울러 반도체 등 첨단공학 연구를 특화한 퍼듀대와는 반도체 연구개발에 협력하기로 했다.