삼성 최첨단 반도체 패키징 기술 개발… ‘12단 3차원 실리콘 관통전극’ 첫 성공

삼성 최첨단 반도체 패키징 기술 개발… ‘12단 3차원 실리콘 관통전극’ 첫 성공

홍희경 기자
홍희경 기자
입력 2019-10-07 22:48
업데이트 2019-10-08 01:55
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삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극’(3D-TSV) 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 7일 밝혔다. 패키징 기술도 초격차를 이어 가는 전략이다.

‘12단 3D-TSV’는 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 와이어 본딩 방식과 다르게 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의1 수준에 불과한 미세한 전자이동통로 6만개를 만들어 연결하는 방식이다. 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요해 반도체 패키징 기술 중 가장 난도가 높은 기술로, 기존 와이어 본딩 방식에 비해 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선할 수 있다고 삼성은 밝혔다.

패키징은 반도체 칩을 기판이나 전자기기에 장착하는 과정에서 칩이 외부와 신호를 주고받을 수 있도록 길을 만들고 외부 충격으로부터 칩을 보호하는 일종의 포장 공정이다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 백홍주 부사장은 “인공지능, 자율주행 등 다양한 응용처에서 고성능을 구현할 수 있는 최첨단 패키징 기술이 중요해지고 있다”면서 “초격차 기술 리더십을 이어 갈 것”이라고 말했다.

홍희경 기자 saloo@seoul.co.kr



2019-10-08 21면
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