현재의 반도체 제조기술의 한계를 뛰어넘을 수 있는 새로운 구조의극소형 트랜지스터가 개발됐다.

한국과학기술원(KAIST) 신형철(申炯澈)교수 연구팀은 반도체의 전류 제어터미널(게이트) 양 옆에 복합실리콘 소재의 보조게이트를 설치,전자의 공급과 회수를 담당하는 터미널(소스 및 드레인)에 반전(反轉)현상을 일으키는 방식이 도입된 50㎚(1㎚=10억분의 1m)급트랜지스터를 개발했다고 7일 밝혔다.기존 실리콘 반도체는 어느 수준까지 크기가 작아지면 전자의 흐름이 차단되지 않는 ‘단채널 현상’을일으키는 한계가 있었다.

신교수팀은 소스와 드레인의 거리가 머리카락 굵기의 2,000분의 1에 불과하면서도 단채널 현상을 해소한 새로운 반도체 구조 등 2건에대해 국제특허를 출원하고 2000년 실리콘 나노전자공학회 논문도 발표했다.

트랜지스터는 전류나 전압을 증폭시키거나 스위치 역할을 하는 소자(素子).50㎚급 트랜지스터의 개발로 현재의 1기가(10억)급보다 1,000배 이상 빠른 초대용량의 테라(1조)급 반도체 개발에 기초가 되는 기술을 확보된 셈이다.

함혜리기자 lotus@