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이창양 산업부 장관 “파운드리 생태계 구축 지원”

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입력 :ㅣ 수정 : 2022-07-25 13:57 기업·산업 섹션 목록 확대 축소 인쇄

25일 삼성전자 3나노 반도체 출하식 참석
3나노 반도체 양산은 삼성이 세계 ‘최초’

이창양 산업통상장자원부 장관은 25일 “반도체 파운드리(위탁생산) 생태계 구축을 전폭적으로 지원하겠다”고 밝혔다.
이창양 산업통상자원부 장관은 25일 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 삼성전자가 세계 최초로 성공한 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식에 참석해 축사를 하고 있다. 산업통상자원부 제공

▲ 이창양 산업통상자원부 장관은 25일 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 삼성전자가 세계 최초로 성공한 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식에 참석해 축사를 하고 있다. 산업통상자원부 제공

이 장관은 이날 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스에서 세계 최초로 열린 3나노(㎚·1나노미터는 10억분의 1m) 반도체 양산 출하식에 참석해 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가한 뒤 이같이 말했다.

그는 “반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 경쟁력 강화를 지원하겠다”면서 “이를 통해 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것”이라고 강조했다. 이어 “3나노 파운드리 시장의 안정적 확보를 위해 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요하다”며 “반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 ‘반도체 플러스 산업’에 대한 경쟁력 강화 방안도 순차적으로 수립할 계획”이라고 소개했다.

삼성전자는 화성캠퍼스 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 가졌다. 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 양산을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 최초로 달성했다. GAA 기술은 기존 핀(Fin) 기술보다 칩 면적(35%)과 전력(50%)은 줄이고 성능(30%)은 높일 수 있는 기술로 평가된다.

이날 행사에는 삼성전자 협력사와 팹리스(반도체 설계전문회사) 관계자 등도 참석했다. 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재와 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발해 3나노 제품 양산을 뒷받침했다는 상징적 의미를 담고 있다. 산업부는 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산으로, 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크다고 설명했다. 특히 메모리반도체 생산기지이자 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 한국의 위상 제고를 기대했다.



세종 박승기 기자
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