삼성전자가 세계 최초로 ‘나노 반도체’의 상용화시대를 열었다.

황창규(黃昌圭) 삼성전자 사장은 16일 서울 신라호텔에서 ‘메모리 전략발표회’를 갖고 업계 처음으로 반도체 공정과정에서 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 개발하고,90나노 2기가 데이터저장용(NA ND)플래시메모리의 시제품(사진) 생산에 성공했다고 발표했다.

90나노(1나노는 10억분의 1m)기술은 ‘마(魔)의 벽’으로 인식되고 있는 0.10㎛(미크론)을 뛰어넘는 공정이다.통상 나노기술은 0.10㎛ 이상의 공정을 일컫는다.

이번에 선보인 90나노 2기가 데이터저장용 플래시메모리는 엄지손가락만한 크기의 4기가 바이트 메모리카드에 음악CD 70장,영화 비디오테이프 4편의 정보를 저장할 수 있다.

플래시메모리는 디지털 카메라·게임기·캠코더 등의 데이터 저장장치로 쓰인다.따라서 90나노 플래시메모리가 양산되면 필름과 PC의 플로피디스크,하드디스크드라이브 등을 완전 대체,전자기기의 모바일화·멀티미디어화를 더욱 가속화할 것으로 보인다.삼성전자는 월 2만장 생산규모의 300㎜ 웨이퍼 전용라인을 2003년 3분기부터 본격 가동,제품 양산에 들어간다.

이와 함께 세계 처음으로 개발한 90나노 D램기술을 차세대 반도체 개발에 적용,512메가 D램과 1기가 D램 양산시대를 주도하기로 했다.



박건승기자 ksp@