삼성전자가 세계 최초로 576메가 램버스D램 개발에 성공했다.

삼성전자는 회로선폭 0.12㎛(미크론·100만분의 1m)급 미세공정기술을 적용한 576메가 제품개발을 완료,내년 2·4분기부터 양산한다고 27일 밝혔다.

동작속도 1,066㎒로 일반 PC에 쓰이는 PC133 SD램 보다는8배, DDR D램 266 제품보다는 4배 빠른 이 제품은 초고속·대용량 메모리를 필요로 하는 고성능컴퓨터,워크스테이션,대형 서버,게임기,셋톱박스 등에 쓰이게 된다.지금까지는 0.15㎛공정에 256메가 용량이 가장 앞선 제품이었으나이번 576메가 제품의 개발로 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있게 됐다고 삼성전자는 설명했다.

올 상반기에 세계 램버스 D램 시장의 60%를 점유한 삼성전자는 램버스D램,DDR,SD램 등 D램 전제품에서 0.12㎛ 이하 공정기술을 적용한 최첨단 제품군을 확보,경쟁사와 기술격차를 더욱 넓힌다는 목표다.

김태균기자