삼성전자가 세계 최초로 4기가(G)D램 반도체기술 개발에 성공했다. 여기에 쓰이는 0.10㎛(미크론·100만분의1m) 초미세공정기술도 최초로 확보했다. 삼성전자는 64메가, 256메가,1기가에 이어 이번에 4기가 제품에서도 세계 최초의 기술을개발함으로써 세계 메모리반도체 업계에서 월등한 기술적 우위를 이어가게 됐다.
삼성전자는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회(ISSCC)에서 0.10㎛ 공정기술을 적용한 차세대4기가 메모리반도체 제품 개발에 대한 기술논문을 발표했다.
4기가D램은 42억9,000만 비트(Bit) 용량으로 칩 1개에 영문글자 기준으로 5억자를 담을 수 있다.
김태균기자 windsea@
삼성전자는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회(ISSCC)에서 0.10㎛ 공정기술을 적용한 차세대4기가 메모리반도체 제품 개발에 대한 기술논문을 발표했다.
4기가D램은 42억9,000만 비트(Bit) 용량으로 칩 1개에 영문글자 기준으로 5억자를 담을 수 있다.
김태균기자 windsea@
2001-02-09 1면
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