삼성전자가 세계 최초로 회로선폭 0.11㎛(1㎛는 100만분의 1m) 반도체의 상용화 기술을 개발했다.

삼성전자는 지난달 미국 하와이에서 열린 권위있는 반도체 관련 행사인 제20회 VLSI심포지엄에서 ‘회로선폭 0.11㎛의 1기가D램 상용화 기술’을 발표했다고 18일 밝혔다.

회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새겨지는 회로선의 굵기로,폭이 미세할수록 집적도높은 반도체를 만들 수 있어 전 세계 업계가 치열하게 경쟁하는부분이다.지금까지 가장 미세한 회로선폭 기술은 0.12㎛ 기술로 삼성전자가지난 4월 이를 적용한 512메가D램 상용제품을 세계 최초로 발표했다.

삼성전자 관계자는 “1메가D램보다 집적도가 1,000배 높은 1기가D램을 상용화하려면 0.10㎛ 이하의 기술을 적용해야 한다”면서 “이번 0.11㎛ 기술 개발로 1기가D램을 양산을 앞당길 수 있게 됐다”고 말했다.

김태균기자 windsea@