삼성전자가 경기도 화성에 총 30만평 규모의 제 2반도체 단지 조성에 들어갔다.

이는 경기도 용인시 기흥읍에 40만평 규모의 제 1 반도체 단지를 조성한 지16년만의 일이다.

삼성전자는 16일 이윤우(李潤雨)반도체 총괄 사장 등이 참석한 가운데 기흥 제 1반도체 단지 인근의 경기도 화성군 제 2반도체 단지 부지에서 1단계 생산라인의 상량식(上樑式)을 가졌다.

1단계 생산라인은 총 18억달러가 투자돼 오는 2001년 상반기 완공될 예정이며 256MD램,램버스D램 등 차세대 반도체를 생산하게 된다.

이 라인은 특히 반도체 회로선폭이 세계에서 가장 정밀한 0.15㎛(100만분의 1m)의 첨단 설비로 매달 3만2,000매의 8인치 웨이퍼(반도체 칩을 올려놓는기판)를 가공할 수 있다.

이사장은 이날 ‘반도체 중장기 비전’을 발표,“1년 이내에 0.12㎛,2001년 0.10㎛급의 초미세가공 기술을 개발해 D램,S램에서 세계 1위를 유지하고 플래시 메모리에서도 1위로 올라서겠다”고 밝혔다.

또 “내년에 연구인력을 400명 확충하고 총 22억달러의 설비투자와 6억달러의 연구개발투자를 단행하겠다”며 “비메모리 분야에서도 오는 2002년까지총 1조3,000억원을 투자,2005년까지 40억달러의 매출을 올릴 방침”이라고밝혔다.

[추승호기자]