◎현대전자,내년부터 양산계획

저전압에서 작동하는 2세대형 「1메가 싱크로너스 S램」이 국내에서도 개발됐다.이 S램은 16메가 D램급의 고난도 반도체 기술을 사용한 제품으로,컴퓨터와 통신제품 등에 쓰이는 차세대 첨단 메모리반도체이다.

현대전자는 24일 국내에서 처음 1메가 싱크로너스 S램을 개발,내년부터 대량 생산할 계획이라고 밝혔다.이 제품은 3.3V의 낮은 전압에서 동작이 가능하다.4나노초(1나노초는 10억분의 1초)속도의 초고속 반도체로 최대 소비 전류량 1백50㎃(밀리 암페어)이하에서 사용하기에 알맞다.<곽태헌기자>