◎「2백56메가D램」 개발 길 터

한국전자통신연구소(소장 경상현) 연구팀이 2백56메가D램 이상의 차세대 기억소자를 개발가능토록 하는 새로운 핵심 단위기억소자를 세계 최초로 발명했다.

이번에 한국전자통신연구소 이진효 책임연구원팀이 발명한 핵심단위소자는 지금까지 모든 D램에 사용된 모스트랜지스터 대신 속도가 빠른 바이폴라트랜지스터를 쓴 수직구조의 소자로서 고집적·저전력·초고속의 차세대 D램을 실현할 획기적인 발명으로 평가된다.

수직구조소자는 기존의 평면구조 소자에 비해 단위소자가 차지하는 면적을 50% 이상 축소할 수 있어 고밀도 D램을 제조하기 위한 그 동안의 어려움을 크게 완화할 것으로 기대된다.

따라서 이 소자가 실용화되면 2백56M급 D램 개발이 촉진될 것이며 기가비트D램 개발에의 도전이 앞당겨질 수 있다.