올 하반기 양산… 해외경쟁사보다 1년 가까이 앞서

D램 반도체 부문에서 부동의 1위 삼성전자가 세계 최초로 ‘30나노급’ 공정을 적용한 D램 개발에 성공했다.



삼성전자는 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트)의 DDR3(더블데이터레이트3) D램을 최근 개발하고 올 하반기부터 양산에 들어간다고 1일 밝혔다.

기존 40나노급을 통해 일본 엘피다 등 해외경쟁사에 비해 6개월 이상 앞섰던 삼성전자는 이로써 1년 가까이 격차를 더 확대할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 그동안 업계에서는 D램 구조상 현재의 생산공정에서는 40나노급이 한계로 여겨졌다.

30나노급이란 반도체 소자에 들어가는 회로 선폭이 30nm(나노미터)급임을 의미한다. 그만큼 최소형 소재의 생산이 가능해진 셈이다. 생산성의 경우 가장 최근에 개발된 40나노급 D램에 비해 60% 정도, 현재 많이 쓰이는 50~60나노급 D램과 비교하면 2배 이상 높아지게 됐다.

또 30나노급 D램의 소비전력은 50나노급 D램 대비 30% 정도, 40나노급에 비해 15% 이상 줄일 수 있다. 예를 들어 노트북에 50나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력소비량은 4W(와트) 정도 되지만 30나노급을 장착하면 3W 정도면 충분하다. 이는 가정용 형광등 1개의 10% 정도에 불과하다.

삼성전자 관계자는 “회사로서는 반도체 부문 생산성이 향상되는 효과를 기대할 수 있고, 소비자들은 반도체 전력 사용량이 줄어들면서 노트북이나 휴대전화를 더 오래 사용할 수 있게 됐다.”고 설명했다.

기간 측면에서도 40나노급에서 30나노급을 개발하는 데 1년 정도 소요, 기존 50나노급에서 40나노급을 개발할 때 걸린 2년 4개월에서 대폭 단축됐다. 세계적으로 30나노급 개발은 아직 발표된 적이 없다. 경쟁사인 하이닉스반도체와 엘피다는 각각 지난해 11월, 12월 40나노급 양산에 들어갔다. 일본 업체들은 올 1·4분기에야 40나노급 양산이 가능할 정도로 삼성전자와 격차가 상당하다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr